[发明专利]一种Si‑APD器件有效
| 申请号： | 201410446822.2 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104180790B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 叶兵;蒋兴亚;汪渝洋 | 申请（专利权）人： | 重庆航伟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01C3/02 | 分类号： | G01C3/02;H01L31/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si‑APD器件，其包括相邻并列设置的第一Si‑APD单管和第二Si‑APD单管，该第一Si‑APD单管与光窗口相对应作光探测单元，所述第二Si‑APD单管背光设置作击穿电压探测单元，该第一Si‑APD单管和第二Si‑APD单管共用负极。该发明根据集成电路工艺上相邻器件性能一致的原理，采用对管式的Si‑APD，由第一Si‑APD单管进行光探测，由第二Si‑APD单管作为击穿电压探测单元，通过检测该第二Si‑APD单管的暗电流，并由负反馈控制环路稳定该暗电流的值，当暗电流维持在设定值时的电压值作为第一Si‑APD单管的工作偏置电压，就可以得到最佳偏置的效果，进而解决了传统动态偏置的复杂性问题，也降低了测距系统的复杂程度和成本，简单实用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si apd 器件 | ||
【主权项】：
一种Si‑APD器件，其特征在于：所述Si‑APD器件包括相邻并列设置的第一Si‑APD单管(11)和第二Si‑APD单管(12)，该第一Si‑APD单管(11)与光窗口相对应作光探测单元，所述第二Si‑APD单管(12)背光设置作击穿电压探测单元，该第一Si‑APD单管(11)和第二Si‑APD单管(12)共用负极；所述第一Si‑APD单管(11)的正极连接光电流检测电路(20)；所述第二Si‑APD单管(12)的正极通过负反馈控制环路与所述第一Si‑APD单管(11)和第二Si‑APD单管(12)的共同负极相电连；所述负反馈控制环路为检测所述第二Si‑APD单管(12)中的暗电流，并通过线性变化控制相应的偏置电压，将暗电流维持在设定值时则为所述第一Si‑APD单管(11)的工作偏置电压。
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