[发明专利]一种基于单片机的NAND-FLASH写操作方法在审
| 申请号： | 201410440206.6 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104166627A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 田星星;何刚;焦来宾 | 申请（专利权）人： | 科大智能电气技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F12/16 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所 34115 | 代理人： | 奚华保 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于单片机的NAND-FLASH写操作方法，该方法包括以下步骤：（1）将NAND-FLASH划分为坏块映射信息区、块交换区、数据使用区和坏块替换区；（2）遍历坏块映射信息区，并根据遍历结果，在块交换区查找可以使用的交换块，在数据使用区或坏块替换区查找写操作真实的目的块；（3）擦除交换块；（4）复制目的块到交换块；（5）擦除目的块；（6）结合交换块的数据和要写入的数据生成新的数据，逐页写入到目的块。本发明能够在内部RAM空间小于一个NAND-FLASH块空间的单片机上使用，其不仅能够保证NAND-FLASH在单片机上的稳定可靠使用，还可通过采用坏块管理来提高NAND-FLASH写操作的稳定性及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 单片机 nand flash 操作方法 | ||
【主权项】：
一种基于单片机的NAND‑FLASH写操作方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：（1）将NAND‑FLASH划分为坏块映射信息区、块交换区、数据使用区和坏块替换区；（2）遍历坏块映射信息区，并根据遍历结果，在块交换区查找可以使用的交换块，在数据使用区或坏块替换区查找写操作真实的目的块；（3）擦除交换块；（4）复制目的块到交换块；（5）擦除目的块；（6）结合交换块的数据和要写入的数据生成新的数据，逐页写入到目的块。
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