[发明专利]基于碳纳米管阵列的硫基复合正极、制备方法及应用无效
申请号: | 201410435975.7 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN104332590A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 赵宇光;钟毓娟 | 申请(专利权)人: | 南京中储新能源有限公司 |
主分类号: | H01M4/13 | 分类号: | H01M4/13;H01M4/62;H01M4/139;H01M10/054 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于碳纳米管阵列的硫基复合正极及其制备方法,以及其在二次铝电池中的应用。所述正极由碳纳米管阵列和含硫活性物质复合而成,其特征在于,碳纳米管阵列垂直生长在导电基底表面,作为导电骨架,含硫活性物质为单质硫和聚丙烯腈复合材料,均匀负载于导电骨架中。该复合正极无需添加导电剂和粘结剂,工序简单,成本低廉,材料形貌可调可控,且接触电阻小,能量密度高。应用此复合正极的二次铝电池容量高、循环性能好。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 阵列 复合 正极 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种基于碳纳米管阵列的硫基复合正极,包括:(a) 导电骨架,其特征在于,所述导电骨架为垂直生长于导电基底上的碳纳米管阵列;(b) 含硫活性物质,其特征在于,所述含硫活性物质为单质硫/聚丙烯腈复合材料。
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