[发明专利]一种基于碳纳米管阵列的碳硫复合电极、制备方法和应用无效
| 申请号： | 201410416178.4 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104183850A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 赵宇光;钟毓娟 | 申请（专利权）人： | 南京中储新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/136;H01M4/1397;H01M10/054 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于碳纳米管阵列的碳硫复合电极及其制备方法。所述复合电极由碳纳米管阵列和导电基底与含硫活性物质复合而成。其制备方法是在导电材料基底的表面垂直生长定向排列的碳纳米管阵列，通过热处理将含硫活性物质渗入碳纳米管阵列的结构中。该方法操作简单、成本低，所制备的电极无外加导电剂和粘结剂，电极活性物质在纳米尺度上与导电体接触，接触电阻小，倍率性好，能量密度高。本发明还公开了一种以此复合电极为正极的二次铝电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 阵列 复合 电极 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于碳纳米管阵列的碳硫复合电极，包括：(a) 导电基底材料；(b) 碳基材料，其特征在于，所述碳基材料为有序排列的碳纳米管阵列，与导电基底材料表面垂直接触；和(c) 含硫活性物质。
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