[发明专利]一种垂直透射型局域等离子谐振折射率传感器的制备方法及其应用

摘要

本发明公开了一种垂直透射型局域等离子谐振折射率传感器及其制备方法。该传感器包括金属帽、透明介质柱、金属孔阵层；所述透明介质柱层由透明材料制备得到，包括基底层和分布于基底层上的柱阵列；柱阵列中每个柱子顶部与柱子和基底层连接的根部的形状及面积都相同，并且柱子顶部面积大于中部横截面面积；所述金属帽为覆盖每个柱子顶部的金属膜，金属孔阵层为覆盖基底层的金属膜。本发明首先加工出柱阵列模板，以此复制出软弹性印章；采用软光刻技术制备出透明的柱阵列；再在基底层平面和每个柱子顶部镀一层金属膜即完成。本发明传感器可以应用于高灵敏度的垂直透射型检测，制备方法简便，成本低，可控性、可重复性强，适合规模化生产。

主权项

一种垂直透射型局域等离子谐振折射率传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.采用微纳加工技术在平坦光滑的基底上制备柱阵列模板；柱阵列中每个柱子的根部和顶部均大于中部；S2.将混匀的聚二甲基硅氧烷预聚体浇注在柱阵列模板上，复制出软弹性的聚二甲基硅氧烷印章；S3.将透明材料预聚液浇注在聚二甲基硅氧烷印章上，除去气泡后使之固化，分离印章，即获得柱阵列透明基底；S4.在柱阵列透明基底的基底层平面和每个柱子顶部真空垂直蒸镀一层金属薄膜，即获得垂直透射型局域等离子谐振折射率传感器；所述垂直透射型局域等离子谐振折射率传感器包括金属帽、透明介质柱层、金属孔阵层；其中，所述透明介质柱层是由透明材料制备而成，包括一个基底层和分布于基底层上的柱阵列；柱阵列中每个柱子的顶部与柱子和基底层连接的根部的形状及面积都相同，并且柱子的顶部的面积大于中部的横截面的面积；所述金属帽为覆盖柱阵列中每个柱子顶部的金属膜，金属孔阵层为覆盖基底层的金属膜；所述金属孔阵的每个金属孔和柱子之间有一定间隙；所述柱阵列中每个柱子的顶部和根部的形状为方形或圆形；且顶部至根部之间为凹形。