[发明专利]EPROM单元阵列、其操作方法及包括其的存储器件有效
| 申请号： | 201410400687.8 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105023611B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 李龙燮 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 俞波;许伟群<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种EPROM单元阵列包括：单元阵列，所述单元阵列包括多个单位单元，所述多个单位单元中的每个包括具有浮栅的MOSFET，并且所述多个单位单元被设置成具有多个行和多个列的阵列；多个第一选择线，所述多个第一选择线中的每个与在单位单元之中被设置在同一行上的单位单元的漏极耦接；以及多个第二选择线，所述多个第二选择线中的每个与在单位单元之中被设置在同一列上的单位单元的源极耦接，其中，要被编程或读取的选中的单位单元通过多个第一选择线中的一个以及多个第二选择线中的一个来选择。 | ||
| 搜索关键词： | eprom 单元 阵列 操作方法 包括 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种EPROM单元阵列，包括：/n单元阵列，其包括多个单位单元，所述多个单位单元中的每个由p沟道型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET组成，所述p沟道型MOSFET具有p+型漏极、p+型源极、所述p+型漏极与所述p+型源极之间的沟道区、以及浮栅，并且所述多个单位单元被设置成具有多个行和多个列的阵列；/n多个第一选择线，所述多个第一选择线中的每个与在所述多个单位单元之中被设置在同一行上的单位单元的漏极耦接；以及/n多个第二选择线，所述多个第二选择线中的每个与在所述多个单位单元之中被设置在同一列上的单位单元的源极耦接，/n其中，选中的单位单元通过以下方式被编程：将编程电压和0V分别施加至要与所述选中的单位单元耦接的第一选择线和第二选择线，或者将编程电压和0V分别施加至要与所述选中的单位单元耦接的第二选择线和第一选择线。/n
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