[发明专利]用于集成电路器件的静电放电保护器件在审

专利信息
申请号: 201410397893.8 申请日: 2014-08-13
公开(公告)号: CN104377670A 公开(公告)日: 2015-02-25
发明(设计)人: 吉耶斯·德拉德;保罗·卡彭;阿尔伯特·扬·惠清 申请(专利权)人: 恩智浦有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02;H02H9/04;H01L27/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吕雁葭
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明描述了静电放电(ESD)保护器件和操作ESD保护器件的方法的实施例。在一个实施例中,集成电路(IC)器件的ESD保护器件包括:双极型绝缘栅场效应晶体管,配置为在ESD事件期间传导ESD电流;以及触发器器件,配置为在ESD事件期间触发双极型绝缘栅场效应晶体管。触发器器件包括:转换速率检测器,配置为检测ESD事件;驱动器级,配置为驱动双极型绝缘栅场效应晶体管;以及保持锁存器,配置为保持驱动器级接通,以利用对双极型绝缘栅场效应晶体管的漏极端子或源极端子上的预偏置不灵敏的驱动电压来驱动双极型绝缘栅场效应晶体管的栅极端子。本发明还描述了其他实施例。
搜索关键词: 用于 集成电路 器件 静电 放电 保护
【主权项】:
一种用于集成电路IC器件的静电放电ESD保护器件,所述ESD保护器件包括:双极型绝缘栅场效应晶体管,配置为在ESD事件期间传导ESD电流;以及触发器器件,配置为在ESD事件期间触发双极型绝缘栅场效应晶体管,所述触发器器件包括:转换速率检测器,配置为检测ESD事件;驱动器级,配置为驱动双极型绝缘栅场效应晶体管;以及保持锁存器,配置为保持驱动器级接通,以利用对双极型绝缘栅场效应晶体管的漏极端子或源极端子上的预偏置不灵敏的驱动电压来驱动双极型绝缘栅场效应晶体管的栅极端子。
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