[发明专利]一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片及其制备方法在审
| 申请号： | 201410383805.9 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104131332A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 雷琦;胡动力;何亮;陈红荣 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于铸造准单晶硅片，包括以下步骤：提供坩埚，在所述坩埚底部铺设目标籽晶，相邻两个目标籽晶之间留有缝隙，在所述缝隙中填充一个异向籽晶，所述目标籽晶和所述异向籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部得到籽晶层；所述异向籽晶包括分别与相邻两个目标籽晶侧面接触的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面分别与相邻目标籽晶接触的侧面构成的晶界类型一致，所述异向籽晶的生长面相对于所述目标籽晶的生长面为高指数晶面。通过在相邻两个目标籽晶之间的缝隙中填充异向籽晶，使位错以及位错的增殖优先产生在异向籽晶中，从而减少目标籽晶产生位错的几率；解决了现有技术制得的准单晶中位错较多的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 籽晶 铺设 方法 单晶硅 及其 制备 | ||
【主权项】：
一种籽晶的铺设方法，用于铸造准单晶硅片，其特征在于，包括以下步骤：提供坩埚，在所述坩埚底部铺设目标籽晶，相邻两个目标籽晶之间留有缝隙，在所述缝隙中填充一个异向籽晶，所述目标籽晶和所述异向籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部得到籽晶层；所述异向籽晶包括分别与相邻两个目标籽晶侧面接触的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面分别与相邻目标籽晶接触的侧面构成的晶界类型一致，所述异向籽晶的生长面相对于所述目标籽晶的生长面为高指数晶面。
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