[发明专利]一种金线莲的育苗方法有效
申请号: | 201410383427.4 | 申请日: | 2014-08-06 |
公开(公告)号: | CN104186314A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 农凯峰 | 申请(专利权)人: | 宁明县红枫中药材种植专业合作社 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 靳浩 |
地址: | 532500 广西壮族自*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种金线莲的育苗方法,包括:步骤一,选取植株健壮、叶脉分明且已过花期的金线莲,取其地上和地下部分之间的2~4cm的一段主茎,将剩余部分捣碎形成溶液,向溶液中加入1%~2%吐温-20,之后将主茎置于溶液中,在4℃处理24~72h;步骤二,将步骤一中处理过的主茎置于1/3~1/2MS固体培养基上生长10~15天得到生根后的幼苗,培养期间采用全日光照;步骤三,将步骤二得到的幼苗移至1/4~1/3MS液体培养基中培养50~60天,并将步骤一中的金线莲溶液加入到MS液体培养基中;步骤四,将固体基质装于可降解材料制成的杯状容器中,将步骤三得到的幼苗移栽到所述固体基质中培养20~40天。 | ||
搜索关键词: | 一种 金线莲 育苗 方法 | ||
【主权项】:
一种金线莲的育苗方法,其特征在于,包括:步骤一,选取植株健壮、叶脉分明且已过花期的金线莲,取其地上部分和地下部分之间的2~4cm的一段主茎,将剩余部分捣碎形成金线莲溶液,向金线莲溶液中加入1%~2%吐温‑20,之后将所述主茎置于金线莲溶液中,在4℃处理24~72h;步骤二,将步骤一中处理过的所述主茎置于1/3~1/2MS固体培养基上生长10~15天得到生根后的幼苗,培养期间采用全日光照,光照强度为1000~1500Lux,培养温度为24℃~28℃;步骤三,将步骤二得到的幼苗移至1/4~1/3MS液体培养基中培养50~60天,并将步骤一中的金线莲溶液加入到MS液体培养基中,培养时采用长日照光周期照射,明期16h光照,光照强度为2000~2500Lux,温度为28℃,暗期8h,温度为22℃;步骤四,将固体基质装于可降解材料制成的杯状容器中,将步骤三得到的幼苗移栽到所述固体基质中培养20~40天,第1~3天采用与步骤三中相同的条件进行培养,第4天至第20~40天,采用明期16h光照,光照强度为3000~3500Lux,温度为30℃,暗期8h,温度为22℃,其中,所述固体基质包括以下重量分数的组分:土壤10~20份,蛭石15~30份,腐殖质3~6份,香蕉10~20份,芒果1~2份,山竹果皮2~4份和火龙果果皮1~2份。
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