[发明专利]一种石墨烯薄膜场发射阴极有效
| 申请号： | 201410373851.0 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104134594B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李驰;白冰;李振军;和峰;杨晓霞;裘晓辉;戴庆 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨晞 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯薄膜场发射阴极。所述石墨烯薄膜场发射阴极包括阴极基底和覆盖于阴极基底上的石墨烯薄膜；所述石墨烯薄膜上设置有多孔阵列。本发明通过制备多孔薄膜结构，可以充分提高石墨烯薄膜的边缘比例，进而提高其大电流发射能力；在石墨烯孔的边缘，将会形成“金属‑绝缘体‑真空”三结，将极大地增强场发射电流，降低场发射驱动电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 薄膜 发射 阴极 | ||
【主权项】：
一种石墨烯薄膜场发射阴极，其特征在于，所述石墨烯薄膜场发射阴极包括阴极基底(40)和覆盖于阴极基底(40)上的石墨烯薄膜(10)；所述石墨烯薄膜(10)上设置有多孔阵列(30)；所述石墨烯薄膜(10)是在连续石墨烯薄膜(70)上形成多孔阵列(30)得到的；所述孔是贯穿的通孔。
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