[发明专利]多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米材料及制备方法有效
申请号: | 201410339843.4 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN104103818A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 陈涛;陈卫祥;马琳;孙虎;叶剑波;陈倩男 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/62;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 杭州赛科专利代理事务所 33230 | 代理人: | 冯年群 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米材料及其制备方法,其由少层数的多边缘WS2纳米片与石墨烯复合构成,WS2纳米片与石墨烯之间的物质的量之比为1∶1-1∶4。制备方法是首先将氧化石墨烯超声分散在去离子水中,再加入离子液体,并充分搅拌,然后依次加入L-半胱氨酸和硫代钨酸铵,充分搅拌使其溶解,将上述混合分散体系转移到水热反应釜中,于240℃下水热反应24h后,自然冷却至室温,离心收集水热固体产物,用去离子水充分洗涤,干燥,最后热处理,制备得到多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米复合材料。本发明的方法具有简单、方便、易于扩大工业化应用的优点。 | ||
搜索关键词: | 多边 ws sub 纳米 石墨 复合 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多边缘WS2纳米片/石墨烯的复合纳米材料,其特征在于,该复合纳米材料是由少层数的多边缘WS2纳米片与石墨烯复合构成,多边缘WS2纳米片与石墨烯之间的物质的量之比为 1:1‑1:4。
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