[发明专利]一种磁控溅射法制备Bi2Se3薄膜的方法

摘要

一种磁控溅射法制备Bi2Se3薄膜的方法，其步骤主要是a、清洗基片；b、溅射准备将硅基片干燥后放在衬底上，在溅射靶上安装纯度为99.99％的Bi2Se3靶材；c、溅射Bi2Se3薄膜将溅射室抽真空至气压小于2×10‑4Pa，再通入99.995％的氩气，使溅射室气压为0.4‑0.6Pa，衬底温度为360℃，进行功率为4‑6W/cm2的60‑600秒的溅射沉积；d、后退火处理将沉积后的硅基片和硒粒封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，置于管式炉中进行氩气保护气氛下，250℃‑300℃、2‑3小时的后退火处理，即得。该方法的真空条件要求低、制备时间短、成本低。

主权项

一种磁控溅射法制备Bi2Se3薄膜的方法，其步骤是：a、清洗基片：将硅基片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行10‑20分钟的超声清洗；b、溅射准备：将硅基片用热氮气干燥后放在磁控溅射设备的衬底上，在磁控溅射设备的溅射靶上安装纯度为99.99％的Bi2Se3靶材，调整溅射靶到硅基片的距离为5‑7厘米；c、溅射Bi2Se3薄膜：将溅射室抽真空至气压小于2×10‑4Pa，再通入纯度为99.995％的氩气，使溅射室气压为0.4‑0.6Pa，调整衬底温度为360℃，进行溅射功率为4‑6W/cm2、时间为60‑600秒的溅射沉积；d、后退火处理：将c步所得的沉积有Bi2Se3薄膜的硅基片和0.1‑0.5g的硒粒一起封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，置于管式炉中进行氩气保护气氛下的后退火处理，后退火处理时的参数为：以2℃/min升至250℃‑300℃，再保温2‑3小时；然后炉冷，即得。