[发明专利]方同轴基片集成波导互连结构

摘要

本发明提供一种方同轴基片集成波导互连结构，包括外导体、内导体，外导体与内导体之间设置有介质；所述方同轴基片集成波导互连结构的物理结构自上而下分为五层，第一层为金属层L1，第二层为介质层L2，第三层为金属层L3，第四层为介质层L4，第五层为金属层L5。本发明所述的方同轴基片集成波导结构为准封闭式结构，采用TEM模式传输信号，可以用作电路板级/芯片级的互连线电路，与传统采用开放结构的微带线/带状线/共面波导互连线相比，本发明具有频带宽、损耗小、时延串扰低、抗电磁干扰能力强的优点，适合于吉比特以上的高速数据传输。

主权项

一种方同轴基片集成波导互连结构，其特征在于，包括外导体、内导体，外导体与内导体之间设置有介质；所述方同轴基片集成波导互连结构的物理结构自上而下分为五层，第一层为金属层L1，第二层为介质层L2，第三层为金属层L3，第四层为介质层L4，第五层为金属层L5；在金属层L1与金属层L5之间设置有金属化通孔阵列，所述金属化通孔阵列贯穿所述第一层至第五层，且由沿所述方同轴基片集成波导互连结构的长度方向呈两列排列的金属化通孔构成；其中：金属层L1、金属层L5、金属化通孔阵列构成所述外导体；金属层L3构成所述内导体；介质层L2、介质层L4构成填充于外导体与内导体之间的介质。