[发明专利]双频率感应加热电源及其逆变电路的控制方法

摘要

本发明公开了一种双频率感应加热电源，包括二极管箝位全桥多电平逆变电路，二极管箝位全桥多电平逆变电路分别与直流电源和单感应线圈负载电路连接。本发明双频率感应加热电源，利用二极管箝位全桥逆变电路实现非叠加式多电平信号输出，增加逆变器输出电压基波调制范围，扩大输出电压三次谐波可调节范围，实现双频功率信号的产生；采用单感应线圈负载电路同步输出双频功率信号实现对双频信号的准确选择，解决了现有技术中存在的逆变器输出电压基波调制范围及谐波可调节范围小、谐振电路结构复杂、谐振电路选频性能降低的问题，结构简单，提高了感应加热电源双频率功率信号的可调节特性及能量利用率。

主权项

双频率感应加热电源，其特征在于，包括二极管箝位全桥多电平逆变电路(2)，所述二极管箝位全桥多电平逆变电路(2)分别与直流电源(1)和单感应线圈负载电路(3)连接；所述二极管箝位全桥多电平逆变电路(2)由三个串联支路并联而成，串联支路一由分压电容C₁和分压电容C₂串联组成，串联支路二由功率开关管MOSFET G_a1、功率开关管MOSFET G_a2、功率开关管MOSFET G_a3、功率开关管MOSFET G_a4串联组成，串联支路三由功率开关管MOSFET G_b1、功率开关管MOSFET G_b2、功率开关管MOSFET G_b3、功率开关管MOSFET G_b4串联组成；所述分压电容C₁、功率开关管MOSFET G_a1的漏极、功率开关管MOSFET G_b4的漏极分别与直流电源(1)的正极连接，所述分压电容C₂、功率开关管MOSFET G_a4的源极、功率开关管MOSFET G_b1的源极分别与直流电源(1)的负极连接；所述功率开关管MOSFET G_a2和功率开关管MOSFET G_a3还并联有箝位支路一，箝位支路一由二极管VD₁和二极管VD₂串联组成，所述功率开关管MOSFET G_b3和功率开关管MOSFET G_b2之间还并联有箝位支路二，箝位支路二由二极管VD₃和二极管VD₄串联组成；所述分压电容C₁和分压电容C₂之间的节点、二极管VD₁和二极管VD₂之间的节点、二极管VD₃和二极管VD₄之间的节点均接地。