[发明专利]一种二元闪耀光栅耦合器及其在硅基混合集成光探测器上的应用无效
| 申请号： | 201410288826.2 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN104090333A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李鸿强;刘宇;崔贝贝;周文骞 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/34;G02B6/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种二元闪耀光栅耦合器，所述耦合器采用SOI材料，包括硅衬底、限制层、波导层和光栅层，所述光栅层采用二元闪耀光栅，所述二元闪耀光栅为一维二元闪耀光栅或二维二元闪耀光栅。所设计的二元闪耀光栅耦合器结构简单、制作方便、体积小，且与标准的CMOS工艺兼容，实现了高耦合效率、宽带宽的耦合输出功能。本发明通过将III-V族材料的光电探测器键合到SOI晶圆上，实现了采用光栅耦合的硅基混合集成光探测器，并将其应用到阵列波导光栅解调集成微系统中，有效解决阵列波导光栅解调集成微系统中SOI硅纳米线波导与InGaAs/InP光探测器间的光耦合问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二元 闪耀 光栅 耦合器 及其 混合 集成 探测器 应用 | ||
【主权项】：
一种二元闪耀光栅耦合器及其在硅基混合集成光探测器上的应用，其特征在于包括如下步骤：(1)二元闪耀光栅耦合器采用SOI材料，包括：硅衬底、限制层、波导层和光栅层；(2)二元闪耀光栅耦合器输入端与锥形波导连接，实现光栅耦合器与系统中阵列波导光栅的互连；(3)二元闪耀光栅耦合器应用在硅基混合集成光探测器上，并将其应用到阵列波导光栅解调集成微系统中，有效解决阵列波导光栅解调集成微系统中SOI硅纳米线波导与InGaAs/InP光探测器间的光耦合问题。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津工业大学，未经天津工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410288826.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：紧凑型高效率的模斑变换器及其设计方法
- 下一篇：信息监测方法
