[发明专利]氧化铱-铁卟啉-氧化钛的高灵敏度光电化学传感器及其制备方法

摘要

本发明属于光电化学传感器技术领域，具体为氧化铱-铁卟啉-氧化钛纳米线的高灵敏度谷胱甘肽光电化学传感器及其制备方法。本发明的光电化学传感器，以氧化铱-铁卟啉-氧化钛纳米线阵列为工作电极，Ag/AgCl电极为参比电极，铂丝为对电极，pH7.4PBS溶液为反应电解液，照射光强度为一个太阳光，照射截面积为0.02-0.06cm²；最低灵敏度为10nM。制备方法包括：水热法制备氧化钛纳米线，通过化学偶联键合上铁卟啉，最后通过化学浸泡沉积上氧化铱，制得氧化铱-铁卟啉-氧化钛纳米线阵列，然后制备光电化学传感器。本发明原材料来源广泛，制备方法简单、环保、价格低廉，响应快速、宽线性范围、高选择性，有利于推广应用。

主权项

 一种氧化铱‑铁卟啉‑氧化钛的高灵敏度谷胱甘肽光电化学传感器，其特征在于以氧化铱‑铁卟啉‑氧化钛纳米线阵列为工作电极，Ag/AgCl电极为参比电极，铂丝为对电极，pH7.4 PBS溶液为反应电解液，照射光强度为一个太阳光，照射截面积为0.02‑0.06 cm² ；最低灵敏度为10 nM。