[发明专利]一种低电压三相输入升降压DC电源装置有效
申请号: | 201410277308.0 | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN104052318B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 林国强;李强;钱立平;韩治昀;邹瑞洵 | 申请(专利权)人: | 大连理工常州研究院有限公司 |
主分类号: | H02M7/219 | 分类号: | H02M7/219 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213164 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种低电压三相输入升降压DC电源装置,属于电源技术领域。该装置由三相电输入至三相可控硅移相控制倍压整流电路,然后输出至负载;三相可控硅移相控制倍压整流电路由4个移相控制电路构成;电压取样电路、电流取样电路及温度取样电路分别连接至电压比较器,电压比较器的集电极开路输出端连接至光耦控制装置(8)的负端,光耦控制装置由4只光耦的输入端顺向串联构成,串联后的正输入端接所述两串联滤波电容的正端。该装置采用可控硅移相控制倍压整流电路,输入低电压调节范围宽达81,控制输出电压的稳定,各移相触发电路中的三极管的E、C极连接可控硅的控制极和阳极,增强触发功率,提高可控硅的控制范围,满足低电压输入需要。 | ||
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【主权项】:
一种低电压三相输入升降压DC电源装置,其特征是:三相电(1)输入至三相可控硅移相控制倍压整流电路(2),然后输出至负载(5);所述三相可控硅移相控制倍压整流电路由移相控制电路装置(9)控制,所述移相控制电路装置由4个移相控制电路构成;电压取样电路(4)、电流取样电路(6)及温度取样电路(3)分别连接至电压比较器(7),所述电压比较器的集电极开路输出端连接至光耦控制装置(8)的负端,所述光耦控制装置由4只光耦的输入端顺向串联构成,串联后的正输入端接两串联滤波电容的正端;所述三相可控硅移相控制倍压整流电路由4只单相可控硅组成单相整流桥,该整流桥的输入端接三相A、B、C的任意两端,两串联的滤波电容的联接点接三相A、B、C的三相的另一相,单向可控硅组成的单相整流桥的正输出端接所述的两串联滤波电容的正端,单向可控硅组成的单相整流桥的负输出端接所述的两串联滤波电容的负端。
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