[发明专利]低压电流控制电路在审
申请号: | 201410257039.1 | 申请日: | 2014-06-11 |
公开(公告)号: | CN105278597A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 刘言言;李明 | 申请(专利权)人: | 郑州市晋源机电设备工程有限公司 |
主分类号: | G05F1/46 | 分类号: | G05F1/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 450016 河南省郑州市经济*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种低压电流控制电路,包括第一斜坡补偿电路和第二斜坡电路,PMOS管Q1~Q3、NMOS管Q4~Q8、开关K、电阻R1和R2以及恒流源;Q1漏极接Q4栅极和恒流源的一端,源极接Q4漏极、Q2和Q3源极、电压源VCC,栅极接Q2和Q3栅极、Q2漏极和Q5漏极;R1和R2串联后一端接地,另一端接Q5源极;Q4源极接R1和R2公共端;Q6漏极接Q3漏极、Q6栅极和Q7栅极、通过K接Q8栅极,源极接地;恒流源的另一端接地;Q8源极接地;Q7另一端接地;斜坡补偿电路的第一和第二斜坡补偿电流分别接Q5源极和Q1漏极。有益效果:电路结构简单,电流输出精度高、范围广、电流稳定。 | ||
搜索关键词: | 低压 电流 控制电路 | ||
【主权项】:
一种低压电流控制电路,包括第一斜坡补偿电路和第二斜坡补偿电路,其特征在于,还包括PMOS管Q1~Q3、NMOS管Q4~Q8、开关K、电阻R1和R2以及恒流源;PMOS管Q1的漏极接NMOS管Q4的栅极和恒流源的一端,源极接NMOS管Q4的漏极、PMOS管Q2和Q3的源极、电压源VCC,栅极接PMOS管Q2和Q3的栅极、PMOS管Q2的漏极和NMOS管Q5的漏极;电阻R1和R2串联后一端接地,另一端接NMOS管Q5的源极;NMOS管Q4的源极接电阻R1和R2的公共端;NMOS管Q6的漏极接PMOS管Q3的漏极、NMOS管Q6的栅极和NMOS管Q7的栅极、开关K的一端和NMOS管Q8的栅极,源极接地;恒流源的另一端接地;NMOS管Q8的源极接地;NMOS管Q7的另一端接地;第一斜坡补偿电路的斜坡补偿电流I1接NMOS管Q5的源极,第二斜坡补偿电路的斜坡补偿电流I3接PMOS管Q1的漏极。
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