[发明专利]一种含Cr钴基非晶巨磁阻抗合金薄带及其制备方法有效
申请号: | 201410247525.5 | 申请日: | 2014-06-05 |
公开(公告)号: | CN104032243A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 陆伟;贾敏;黄平;凌敏;王嘉婧 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C22C45/04 | 分类号: | C22C45/04;B22D11/06 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 叶敏华 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种含Cr钴基非晶巨磁阻抗合金薄带及其制备方法,合金薄带的成分组成由化学式表示为Co68Fe7-xCrxSi15B10,其中,0<x≤6;首先配比母合金原料;将母合金原料反复熔炼并浇注成合金锭;将合金锭破碎并超声清洗;将清洗干净的块体合金采用单辊快淬法制备出非晶薄带。与现有技术相比,本发明采用具有优良软磁性能和优异力学性能的钴基合金为母合金,具有较好的流动性能,易于喷制。同时Cr元素的掺杂,使薄带的硬度、电阻率提高并能改善其软磁性能,同时也能提高耐蚀性,最重要的是可以改善GMI效应,具有较高的巨磁阻抗变化率和磁场灵敏度,能广泛应用于磁敏传感器技术领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 cr 钴基非晶巨 磁阻 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种含Cr钴基非晶巨磁阻抗合金薄带,其特征在于,合金薄带的成分组成由化学式表示为Co68Fe7‑xCrxSi15B10,其中,0<x≤6。
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