[发明专利]一种集成的全差分放大器

摘要

本发明适用于集成电路领域，提供了一种集成的全差分放大器，该全差分放大器包括第一滤波模块、第二滤波模块、比例放大模块，所述第一滤波模块的输出端连接所述比例放大模块的输入端，所述第二滤波模块的输出端连接所述比例放模块的输入端；所述第一滤波模块、第二滤波模块的结构相同，其包括小电流偏置电路及滤波电路，所述小电流偏置电路的输出端连接所述滤波电路的输入端。通过小电流偏置电路与电容构成高通滤波功能，去除输入信号直流压差对放大增益的限制，提高电路信噪比，实现极低频率范围内的片内集成高通滤波功能，采用集成化电路取代仪表结构，降低了功耗。

主权项

一种集成的全差分放大器，其特征在于，该全差分放大器包括第一滤波模块、第二滤波模块、比例放大模块，所述第一滤波模块的输出端连接所述比例放大模块的输入端，所述第二滤波模块的输出端连接所述比例放大模块的输入端；所述第一滤波模块、第二滤波模块的结构相同，其包括小电流偏置电路及滤波电路，所述小电流偏置电路的输出端连接所述滤波电路的输入端；所述小电流偏置电路包括电流源Ibg、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管MC1、MOS管MC2、MOS管MC3及MOS管MC4，所述电流源Ibg一端分别连接所述MOS管M1的漏极、栅极及MOS管M2的栅极，所述MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3及MOS管M4的源极相连，所述MOS管M3的栅极、漏极及MOS管M4的栅极分别连接所述MOS管MC4的漏极，所述MOS管MC4的源极连接所述MOS管MC3的漏极，所述MOS管MC4的栅极分别连接所述MOS管MC3的栅极及MOS管MC2的栅极，所述MOS管MC2的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MC1的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MC1、MOS管MC2及MOS管MC3的源极接地，所述电流源Ibg的另一端接地;所述滤波电路包括MOS管MA、MOS管MB及电容C2，所述MOS管MA的栅极及MOS管MB的栅极、漏极分别连接所述MOS管M4的漏极，所述MOS管MA的源极与MOS管MB的源极相连，所述电容C2与所述MOS管MA的漏极至源极并联。