[发明专利]硅原材料的清洗方法有效
申请号: | 201410236921.8 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN104028503A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 刘彬国;席骁;何京辉;曹祥瑞;刘彬 | 申请(专利权)人: | 邢台晶龙电子材料有限公司 |
主分类号: | B08B3/12 | 分类号: | B08B3/12;B08B3/08;B08B3/02 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 陆林生 |
地址: | 054001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅原材料的清洗方法,属于太阳能电池技术领域。其包括下述步骤:(1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭;所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂25-35%、余量为纯水;(2)高压水枪冲洗3-8分钟;(3)超声清洗;超声清洗温度为35-45℃,时间为15-20分钟。本发明采用低碱洗液擦拭、高压水枪冲洗、超声清洗来实现硅原材料的全面清洗,避免使用强碱强酸化学腐蚀工艺带来的设备危害和环境污染,并且方法简单,易操作,清洗效果好。 | ||
搜索关键词: | 原材料 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种硅原材料的清洗方法,其特征在于包括下述步骤:(1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭;所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂 25‑35%、余量为纯水;(2)高压水枪冲洗3‑8分钟;(3)超声清洗;超声清洗温度为35‑45℃,时间为15‑20分钟。
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