[发明专利]超材料像元结构及使用其的焦平面阵列成像探测器有效

专利信息
申请号: 201410228063.2 申请日: 2014-05-27
公开(公告)号: CN103983364B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 龚诚 申请(专利权)人: 龚诚
主分类号: G01J5/10 分类号: G01J5/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 401520 重庆市璧山*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明涉及一种用于太赫兹及毫米波探测的超材料像元结构以及使用该超材料像元结构的焦平面阵列成像探测器,该超材料像元结构包含顶层和底层,顶层形成谐振器,谐振器包括纵向设置的至少一组分裂环,其中每个分裂环具有露出底层的特殊形状的镂空区域,从而使得超材料像元的顶层既作为微反射镜,又作为谐振器构成超材料结构,同时由顶层材料和底层材料构成双材料悬臂梁执行器;本发明涉及的焦平面阵列成像探测器包含由多个如本发明提供的超材料像元结构按周期排列组成的焦平面阵列,其中,多个所述超材料像元排列形成超材料周期结构,从而实现高分辨率成像以及对太赫兹波或毫米波的高吸收率,具有高探测灵敏度。
搜索关键词: 材料 结构 使用 平面 阵列 成像 探测器
【主权项】:
一种超材料像元结构,包含顶层和底层,其特征在于,所述顶层形成谐振器,所述谐振器包括纵向设置的至少一组分裂环,其中每一组分裂环包含一个分裂环,每个分裂环包括露出底层的形镂空区域,并且只有形镂空区域的横向向外延伸的一端镂空出顶层。
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