[发明专利]基于8字形散射体二维光子晶体寻找大带隙的方法

摘要

本发明公开了一种基于8字形散射体二维光子晶体寻找大带隙的方法，其步骤包括：（1）构建一种8字形散射体正方晶格光子晶体；（2）通过改变，改变8字形散射体正方晶格光子晶体完全带隙的宽度和数量，从而寻找大带隙；（3）根据步骤（2）中带隙和能带的变化规律，通过参数优化，获得最大完全带隙宽度和六条完全带隙。本发明方法找到了8字形散射体二维正方晶格光子晶体TM模存在的较大完全带隙，为基于完全带隙特性设计的滤波器及全反射等提供应用基础。通过参数优化，当时，获得最大完全带隙宽度。当,时，时，存在六条完全带隙。

主权项

基于8字形散射体二维光子晶体寻找大带隙的方法，包括如下步骤：（1）构建一种8字形散射体正方晶格光子晶体：设定所有结构参数都是对晶格常数归一化，所述8字形散射体正方晶格光子晶体的小圆半径为，8字形所在大圆半径为，满足，为小圆轴线连线与水平方向的夹角，逆时针方向为正；（2）通过改变，改变8字形散射体正方晶格光子晶体完全带隙的宽度和数量，从而寻找大带隙，其包括如下步骤：a、改变夹角来改变带隙和能带；b、改变散射体相对介电常数来改变带隙和能带；c、改变半径来改变带隙和能带；（3）根据步骤（2）中带隙和能带的变化规律，通过参数优化，获得最大完全带隙宽度和六条完全带隙：当时，最大完全带隙宽度；当，时，时，存在六条完全带隙。