[发明专利]WAlN硬质纳米结构薄膜及制备方法有效
| 申请号： | 201410211117.4 | 申请日： | 2014-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN104005002A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 喻利花;许俊华;赵洪舰 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本文发明公开了一种WAlN硬质纳米结构薄膜及其制备方法，其特征在于是该薄膜厚度1-3um，含有W、Al、N元素，其中W含量为60at.％-100at.％且不等于100at.％，Al含量为0at.％-40at.％且不等于0，N元素以CrN过渡层的形式存在。是以高纯W靶和Al靶为靶材，采用双靶共焦射频反应法在硬质合金或陶瓷基体上沉积获得，沉积时，真空度优于3.0×10-3Pa，以氩气起弧，氮气为反应气体，氩氮流量比10:(6-15)，溅射气压0.3Pa。该方法生产效率高，所得薄膜兼具高硬度和优异的摩擦性能，可作为高速、干式切削的纳米结构硬质薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | waln 硬质 纳米 结构 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
WAlN硬质纳米结构薄膜，其特征在于是采用双靶共焦射频反应溅射法在硬质合金或陶瓷基体上沉积得到，薄膜厚度1‑3um，含有W、Al、N元素，其中W含量为60at.％‑100at.％且不等于100at.％，Al含量为0at.％‑40at.％且不等于0，N元素以CrN过渡层的形式存在。
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