[发明专利]一种大面积晶态/非晶核壳结构的五氧化二钒纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201410189562.5 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103966638B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李垚;童仲秋;赵九蓬;左璠雨;王艺 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙)11341 | 代理人： | 李涛,张东山 |
| 地址： | 150006 黑龙江省哈尔*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积晶态和非晶核壳结构的五氧化二钒纳米线的制备方法，本发明使用胶体晶体为模板，通过电沉积的方法在模板中沉积五氧化二钒；采用有机溶剂去除聚苯乙烯小球以后，直接通过热处理在导电的基体上获得大面积晶态和非晶核壳结构的五氧化二钒纳米线；使用该种方法制备的五氧化二钒纳米线既能克服非晶态五氧化二钒导电性差的缺点，又能获得大面积薄膜，从而该种方法获得的薄膜在电致变色、电容器和锂离子电池领域具有较强的使用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 晶态 晶核 结构 氧化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大面积晶态和非晶核壳结构的五氧化二钒纳米线的制备方法，其特征在于按以下步骤实现：(1)在导电基板上制备聚苯乙烯小球堆积胶体晶体模板；(2)以获得的聚苯乙烯小球堆积胶体晶体模板为工作电极，在三电极体系下，电化学填充五氧化二钒；电沉积溶液为硫酸氧钒溶液，浓度为0.01mol/L～10mol/L，电沉积时间为5s～10min，沉积电压为0.7V～3V；(3)将步骤(2)获得的薄膜置于一定量的有机溶剂中，通过浸泡去除胶体晶体模板，获得三维有序大孔结构的五氧化二钒薄膜；(4)热处理步骤(3)获得的三维有序大孔结构的五氧化二钒薄膜，获得大面积晶态和非晶核壳结构的五氧化二钒纳米线；热处理温度为300℃～500℃，热处理时间为1h～5h；所述的大面积最大为4cm×4cm。
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