[发明专利]一种圆柱形同轴谐振腔体的加热装置及其温度控制方法

摘要

本发明公开了一种圆柱形同轴谐振腔体的加热装置及其温度控制方法，装置包括有控制单元、温度采集单元、功率加热单元，方法包括温度采集、温度比较、温度统计、温度调整几个步骤。本发明通过改变流经MOSFET管漏极和源级的电流来控制加热功率的大小来满足可控、均匀的加热过程要求，可有效减少工作温度对谐振频率的影响、提高物料湿密度检测的精度。

主权项

一种圆柱形同轴谐振腔体的加热装置，其特征在于：包括有控制单元、温度采集单元、功率加热单元，所述温度采集单元和功率加热单元分别与控制单元连接；所述温度采集单元设在圆柱形同轴谐振腔体上开槽中，并与圆柱形同轴谐振腔体紧密导热接触；所述控制单元包括控制电压产生子单元、滤波调整子单元，其中控制电压产生子单元由主控芯片、接入主控芯片的DA转换芯片构成，滤波调整子单元由运算放大器构成的滤波电路、比例积分电路构成，所述温度采集单元输出的信号接入主控芯片，主控芯片根据温度采集单元输出的信号，控制DA转换芯片产生控制电压信号，DA转换芯片产生的控制电压信号接入滤波调整子单元，依次经过滤波调整子单元中滤波电路滤波、比例积分电路比例积分变换后，变换为功率控制电压信号并接入功率加热单元；所述功率加热单元包括两个功率MOSFET管，两个功率MOSFET管分布于圆柱形同轴谐振腔体顶部和底部，并分别与圆柱形同轴谐振腔体紧密导热接触，两个功率MOSFET管分别接收控制单元中滤波调整子单元输出的功率控制电压信号，由功率控制电压信号控制两个功率MOSFET管感生沟道的宽窄，以调整漏极和源极之间电流的大小，完成对加热功率大小的控制。