[发明专利]TiO2柱撑MoS2复合纳米材料用于二恶英无害化处理的方法无效

专利信息
申请号: 201410183663.1 申请日: 2014-05-04
公开(公告)号: CN103933695A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 裴洋;夏建白;李京波 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: A62D3/17 分类号: A62D3/17
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种TiO2柱撑MoS2复合纳米材料用于二恶英无害化处理的方法,包括以下步骤:步骤1:利用单分子层剥离重堆积技术,制备TiO2柱撑MoS2复合纳米材料样品;步骤2:煅烧处理样品;步骤3:制备二恶英储备液;步骤4:将煅烧处理的样品放入到二恶英储备液中,制备样品的悬浊液;步骤5:对样品的悬浊液进行光照,使二恶英降解;步骤6:检测样品降解效果,完成工艺。本发明具有能耗低、环境友好的优点。
搜索关键词: tio sub 柱撑 mos 复合 纳米 材料 用于 二恶英 无害化 处理 方法
【主权项】:
一种TiO2柱撑MoS2复合纳米材料用于二恶英无害化处理的方法,包括以下步骤:步骤1:利用单分子层剥离‑重堆积技术,制备TiO2柱撑MoS2复合纳米材料样品;步骤2:煅烧处理样品;步骤3:制备二恶英储备液;步骤4:将煅烧处理的样品放入到二恶英储备液中,制备样品的悬浊液;步骤5:对样品的悬浊液进行光照,使二恶英降解;步骤6:检测样品降解效果,完成工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410183663.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top