[发明专利]一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构有效
| 申请号： | 201410172871.1 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104037618B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 尤明慧;于新雨;李占国;刘景圣;李士军;欧仁侠;高欣;樊娟娟;孙启响;于秀玲;李雪;梁雪梅;史明非;孙连志 | 申请（专利权）人： | 吉林农业大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明专利是一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构，即采用生长的多层InGaSb量子点与能带非对称量子阱耦合结构，来提高激光器材料、器件的性能。这种创意会在很大程度上增大量子点的体密度，增加对载流子的俘获能力，对量子点分布的均匀性也有所改善，增加量子点的尺寸和引入Sb基量子点，能够使发光谱峰向通讯波段的长波长移动，波长可以覆盖1.5μm，从而达到拓展波长、提高激光器特征温度和降低阈值电流等目的。这一结构再加之GaAs基工艺的成熟性，易于与现有光电子器件集成等特点，GaAs基长波长含Sb量子点激光器将具有十分广阔的应用前景，对实现性能优异的中红外半导体激光器将具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 红外 波段 sb 多层 量子 对称 耦合 激光器 结构 | ||
【主权项】：
一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构，具体为：GaAs衬底(1)；变Al组分的AlxGal‑xAs限制层(2)，其中Al组分x＝0.35‑0.9，n型掺杂浓度从1.0×1018cm‑3渐变到5.0×1017cm‑3，厚度1200nm；Al0.35Ga0.65As波导层(3)，厚度400nm；5对In0.18Ga0.82As/In0.30Ga0.70Sb/In0.31Ga0.69As量子点和量子阱耦合层(4)，其中In0.18Ga0.82As厚度为6nm，In0.30Ga0.70Sb量子点平均高度12nm，In0.31Ga0.69As厚度为12nm；Al0.35Ga0.65As波导层(5)，厚度400nm；变Al组分的AlxGal‑xAs限制层(6)，p型掺杂浓度从5.0×1017cm‑3渐变到1.0×1018cm‑3，厚度1200nm；GaAs盖层(7)，掺杂浓度1.0×1019cm‑3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林农业大学，未经吉林农业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410172871.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：火花塞
- 下一篇：一种用于激光器无遮挡镀膜的镀膜架装置
