[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410171329.4 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104700883B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 金昌铉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括初步内部刷新信号发生器和内部刷新信号发生器。初步内部刷新信号发生器在刷新操作期间接收第一周期信号，以产生包括周期性产生的脉冲的初步内部刷新信号。内部刷新信号发生器在刷新操作期间接收第二周期信号，以产生通过初步内部刷新信号的脉冲来顺序地使能的第一内部刷新信号和第二内部刷新信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：初步内部刷新信号发生器，适用于：在刷新操作期间响应于刷新终止命令信号而接收第一周期信号，以产生包括周期性产生的脉冲的初步内部刷新信号；以及内部刷新信号发生器，适用于：在所述刷新操作期间接收第二周期信号，以产生通过所述初步内部刷新信号的脉冲来顺序地使能的第一内部刷新信号和第二内部刷新信号。
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