[发明专利]基于native晶体管的高电源抑制带隙基准源无效
| 申请号： | 201410169393.9 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103901936A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李景虎;黄果池;张远燚 | 申请（专利权）人： | 福建一丁芯光通信科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 张宏威 |
| 地址： | 350003 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 基于native晶体管的高电源抑制带隙基准源，属于电源领域，本发明为解决传统带隙基准源的电源抑制问题比较严重；最低工作电压比较高，无法有效降低的问题。本发明包括误差放大器A、native NMOS晶体管MNA1、PNP型三极管Q1、PNP型三极管Q2、电阻R1、电阻R2和电阻R3；MNA1漏极连接电源VDD，MNA1栅极连接A输出端；MNA1源极同时连接电阻R2一端、电阻R3一端和带隙基准源的输出端VREF；电阻R2另一端同时连接A同相输入端和Q1发射极，Q1基极和集电极同时连接GND；电阻R3另一端同时连接A反相输入端和电阻R1一端，电阻R1另一端连接Q2发射极；Q2基极和集电极连接GND。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 native 晶体管 电源 抑制 基准 | ||
【主权项】：
基于native晶体管的高电源抑制带隙基准源，其特征在于，它包括误差放大器A、native NMOS晶体管MNA1、PNP型三极管Q1、PNP型三极管Q2、电阻R1、电阻R2和电阻R3；Native NMOS晶体管MNA1的漏极连接电源VDD，Native NMOS晶体管MNA1的栅极连接误差放大器A的输出端VO；Native NMOS晶体管MNA1的源极同时连接电阻R2的一端、电阻R3的一端和带隙基准源的输出端VREF；电阻R2的另一端同时连接误差放大器A的同相输入端和PNP型三极管Q1的发射极，PNP型三极管Q1的基极和集电极同时连接GND；电阻R3的另一端同时连接误差放大器A的反相输入端和电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接PNP型三极管Q2的发射极；PNP型三极管Q2的基极和集电极连接GND。
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