[发明专利]一种磨料级SiC颗粒表面纯净化处理方法有效
| 申请号： | 201410168392.2 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103964439B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 崔岩;吴本顺;杨越;刘峰斌 | 申请（专利权）人： | 北方工业大学 |
| 主分类号： | C01B32/956 | 分类号： | C01B32/956 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100144 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磨料级SiC颗粒表面纯净化处理方法，属于无机非金属材料及复合材料领域。其特征在于包括以下步骤选取原始磨料级SiC颗粒；超声处理；漂洗；干燥；气氛保护高温处理。本发明设计新颖合理、工艺步骤简单、流程短、操作简便、实用价值高且成本低廉，SiC颗粒损失率低，能够实现磨料级SiC颗粒非常好的表面纯净化处理效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磨料 sic 颗粒 表面 净化 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种磨料级SiC颗粒表面纯净化处理方法，其特征在于，该方法的操作步骤如下：(1)选取原始磨料级SiC颗粒，所选取的SiC颗粒为纯度在94％以上的颗粒，所选取的SiC颗粒的粒度范围为1μm～80μm；(2)超声处理，将所选取的SiC颗粒与丙酮或无水乙醇配制成质量比为15％～50％的溶液，超声振荡30～90min，超声振荡过程中辅以加热、搅拌；(3)漂洗，将上述溶液静置1～5min，抽去上层悬浮液，得到下层沉淀的SiC颗粒，用去离子水漂洗3～10遍；(4)干燥，把以上处理后的SiC颗粒自然风干或者放入60～100℃的干燥箱中进行干燥脱水，干透为止；(5)气氛保护高温处理，把干燥好的SiC颗粒在气氛保护下进行800～950℃的高温处理，保温1～10小时，随炉冷却至室温，得到表面纯净的磨料级SiC颗粒。
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