[发明专利]配套接入电流喷射式音频功率放大器的桥式动态电源

摘要

本发明公开了一种配套接入电流喷射式音频功率放大器的桥式动态电源，包括MOS场效应管M1、M2、M3、M4，电感器L1、L2，金属化薄膜电容C1、C2和音频处理器模块；所述音频处理器模块设置有9个ADC通道用于实时监视和2个DAC通道用于控制电流喷射式功率放大器的工作状态；本发明解决了音频放大器输出功率管耗散功率大以及传统电路中多对管并联来解决高耗散的弊端，与本发明桥式动态电源配套连接的电流喷射式音频功率放大器仅需要一对P、N沟道互补的输出管就可以完成超大功率、高音质输出，大量节约功率管成本的同时，减免了传统功放在生产时要求最高的功率管配对工艺，使用本发明的音频功率放大器发热量较低，节能效果明显。

主权项

配套接入电流喷射式音频功率放大器的桥式动态电源，其特征在于：包括MOS场效应管M1、MOS场效应管M2、MOS场效应管M3、MOS场效应管M4、电感器L1、电感器L2、金属化薄膜电容C1、金属化薄膜电容C2和音频处理器模块，所述MOS场效应管M1栅极接音频处理器模块的脉宽调制驱动输出端SPWM1_N，MOS场效应管M1的源极接MOS场效应管M2的漏极和电感器L1的一端，MOS场效应管M1的漏极接电源+Vdd；MOS场效应管M2栅极接音频处理器模块的脉宽调制驱动输出端SPWM1_P，MOS场效应管M2源极接电源‑Vss，MOS场效应管M2漏极接MOS场效应管M1源极和电感器L1的一端，电感器L1另一端接金属化薄膜电容C1和MOS场效应管Q1漏极；MOS场效应管M3栅极接音频处理器模块的脉宽调制驱动输出端SPWM2_N，MOS场效应管M3的源极接MOS场效应管M4的漏极和电感器L2的一端，MOS场效应管M3漏极接电源+Vdd；MOS场效应管M4栅极接音频处理器模块的脉宽调制驱动输出端SPWM2_P，MOS场效应管M4源极接电源‑Vss，MOS场效应管M4漏极接MOS场效应管M3源极和电感器L2的一端，电感器L2另一端接金属化薄膜电容C2和MOS场效应管Q2漏极；所述音频处理器模块设置有9个ADC通道用于实时监视和2个DAC通道用于控制电流喷射式功率放大器的工作状态，上述9个ADC通道分别为ADC1、ADC2、ADC3、ADC4、ADC5、ADC6、ADC7、ADC8和ADC9，上述2个DAC通道分别为DAC1通道和DAC2通道；音频处理器模块ADC1连接MOS场效应管Q1漏极用于监视MOS场效应管Q1漏极电压，音频处理器模块ADC4连接MOS场效应管Q2漏极用于监视MOS场效应管Q2漏极电压，音频处理器模块ADC2连接MOS场效应管Q1源极用于监视MOS场效应管Q1的Ids电流，音频处理器模块ADC3连接MOS场效应管Q2源极用于监视MOS场效应管Q2的Ids电流，音频处理器模块ADC5和ADC6分别用于探测MOS场效应管Q1和MOS场效应管Q2结温Tj；音频处理器模块DAC1由音频处理器输出用于控制MOS场效应管Q1、MOS场效应管Q2的动态偏置电流，音频处理器模块DAC2由音频处理器输出用于控制功率放大器输出的中点电位；工作时音频处理器模块根据电流喷射放大器的工况，按设定的算法动态调整输入MOS场效应管Q1、Q2漏极的电功率，使MOS场效应管Q1、Q2的管压降Vds始终保持相对恒定，保证流过MOS场效应管Q1、Q2的工作电流产生的结温在可控的正确范围内。