[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201410166713.5 | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN105097014B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陈金明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括SRAM单元，在该SRAM单元中，第一上拉晶体管的用于连接电源电压的源极与第二上拉晶体管的用于连接电源电压的源极之间不存在电连接，或第一下拉晶体管的用于连接电源负极的源极与第二下拉晶体管的用于连接电源负极的源极之间不存在电连接，因而可以通过调节其各自的电源电压或电源负极电压的值，改善SRAM单元的可写性与静态噪声余量，进而提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括SRAM单元，其中所述SRAM单元包括由第一上拉晶体管与第一下拉晶体管构成的第一反相器以及由第二上拉晶体管与第二下拉晶体管构成的第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器交叉耦合；其中，所述第一上拉晶体管的用于连接电源电压的源极与所述第二上拉晶体管的用于连接电源电压的源极之间不存在电连接，并且所述第一上拉晶体管源极连接的电源电压和所述第二上拉晶体管源极连接的电源电压通过两个独立的电源电压分别实现，所述第一上拉晶体管的源极上的电源电压大于所述第二上拉晶体管源极上的电源电压，所述第一下拉晶体管的用于连接电源负极的源极与所述第二下拉晶体管的用于连接电源负极的源极形成电连接。
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