[发明专利]一种阵列断裂电极的免疫检测方法

摘要

本发明公开了一种阵列断裂电极的免疫检测方法，该方法以芯片为分析平台以阵列断裂电极为检测电极，标记有贵金属纳米粒子的针对分析物的抗体在检测电极的间隙处形成二元或三元免疫复合物，银增强溶液在贵金属纳米粒子的催化作用下形成银沉积，形成具有不同阻抗的电极以形成不同的光电流信号，进而对待测物进行定量测量。本发明方法信号稳定、可比性强、灵敏度高、激发光波长和光电活性材料可选范围大，可以实现通量化分析。

主权项

一种阵列断裂电极的免疫检测方法，其特征是利用银离子在不同浓度的贵金属纳米粒子的催化下沉积在断裂电极(gap electrode或split electrode)的间隙处，形成具有不同阻抗的电极，表达为不相同的光电流；它具体包括以下步骤：步骤1.准备一台光致电化学分析仪；步骤2.以覆盖有导电材料玻璃为芯片基材制作出所需的光电极和阵列断裂电极图形，其图形为光电极和阵列断裂电极的一端相连，所述的光电极为直径为5±1mm的圆形，所述的阵列断裂电极宽度为8±2mm，所述的断裂电极为具有小于1mm宽形成电断路间隙的断裂电极；(见图1)步骤3.将带有光致电化学池圆孔和阵列检测池小孔的聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄片与芯片键合并使光致电化学池圆孔与光电极对齐形成光致电化学池，检测池小孔与芯片的检测位置对齐形成检测池，所述的检测位置是在每条陈列断裂电极相对于光致电化学池的断裂间隙另一端的断裂电极上；步骤4.制备贵金属纳米粒子并将该粒子标记在针对待测物的一种抗体上；步骤5.在检测池的底部固定上针对待测物的另一抗体分子或直接固定待测物分子；步骤6.在检测池中加入待测物分子和步骤4中制备的标记有贵金属的抗体分子形成：标记有贵金属的抗体分子‑待测分子‑步骤5的另一抗体分子组成的三元夹心免疫复合物或只加入步骤4中制备的标记有贵金属的抗体分子以形成标记有贵金属的抗体分子和待测物分子组成的二元免疫复合物；步骤7.在检测池中加入银增强溶液，15‑20分钟后去除检测池中的液体并用氮气吹干检测池；步骤8.在光电化学池底部的电极上修饰光电活性物质；步骤9.将芯片与光电流测量仪连接好并将芯片置于光致电化学平台上，启动光源即可以测量信号。