[发明专利]基于纳米线的平面热电器件的制备方法有效
| 申请号： | 201410155903.7 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103904209A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 祁洋洋;张明亮;王珍;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米线的平面热电器件的制备方法，包括：在衬底上制备一层P++层；在P++层上淀积第一绝缘材料层；淀积第一金属材料层，并在第一金属材料层上形成对称且具有一定间距的两个电阻；在电极引线附近开孔，暴露出部分P++层；在暴露出的部分P++层和电极引线上分别沉积第二金属材料层；在整个表面沉积第二绝缘材料层；暴露出蛇形电阻和电极引线之间的部分衬底，并在两个对称蛇形电阻的中央保留至少一个条形结构；刻蚀所述条形结构使其变成纳米线结构；从所暴露出的部分衬底进行湿法腐蚀，使得蛇形电阻、以及纳米线结构所在部位悬空；刻蚀所述第一绝缘层和第二绝缘层，暴露出第二金属材料层和纳米线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 平面 热电器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米线的平面热电器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上制备一层P++层，作为热电器件的功能层；步骤2：在P++层上淀积第一绝缘材料层；步骤3：在第一绝缘材料层上淀积第一金属材料层，并在第一金属材料层上形成对称且具有一定间距的两个电阻，每个电阻分别包括一个蛇形电阻和电极引线，所述电极引线位于蛇形电阻的端部；步骤4：在所述电极引线附近未被第一金属材料层覆盖的第一绝缘材料层上开孔，暴露出部分P++层；步骤5：在暴露出的部分P++层和所述电极引线上分别沉积第二金属材料层；步骤6：在整个表面沉积第二绝缘材料层；步骤7：依次刻蚀蛇形电阻和电极引线之间的第二绝缘材料层、第一绝缘材料层、P++层和衬底，暴露出蛇形电阻和电极引线之间的部分衬底，并在两个对称蛇形电阻的中央保留至少一个条形结构；步骤8：进一步刻蚀所述条形结构下方的P++层和衬底使其变成纳米线结构；步骤9：从所暴露出的部分衬底进行湿法腐蚀，使得蛇形电阻、以及纳米线结构所在部位悬空；步骤10：刻蚀所述第一绝缘层和第二绝缘层，暴露出第二金属材料层和纳米线结构，完成平面热电器件的制作。
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