[发明专利]一种有序聚苯胺纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种有序聚苯胺纳米线阵列的制备方法，本方法利用嵌段共聚物苯乙烯-b-聚（4-乙烯基吡啶）在薄层晶状MnO₂薄膜表面的微相分离及分子自组装特性，制备晶状MnO₂薄膜为衬底的嵌段共聚物有序柱状纳米膜，然后经过质子酸刻蚀制备出MnO₂薄膜为衬底的高密度有序纳米孔薄膜；并以其为模板，采用化学氧化法，利用纳米孔内MnO₂的氧化作用，引导聚苯胺在纳米孔洞内生成聚苯胺纳米晶种，然后向溶液中加入氧化剂过硫酸铵，继续使得溶液中的苯胺沿聚苯胺晶核继续生长，从而制备出位置、尺寸和生长取向可控的高密度有序聚苯胺纳米线阵列。

主权项

一种有序聚苯胺纳米线阵列的制备方法，其特征在于包括如下步骤：  （1）将制备氧化层的前躯体溶解在良溶剂中形成前驱体溶液，将前驱体溶液旋涂在半导体硅片表面，然后经过程控煅烧形成氧化层；  （2）将嵌段共聚物溶解在良溶剂中形成旋涂液，然后旋涂液旋涂在氧化层上，再经过质子酸溶解于甲醇中形成的刻蚀剂的刻蚀得到具有纳米孔洞的模板层；  （3）将苯胺溶于盐酸，然后将步骤（2）处理后的半导体硅片置于苯胺的盐酸溶液中，通过氧化层的定向诱导氧化，在步骤（2）中形成的纳米孔洞生成聚苯胺纳米晶种；然后往苯胺的盐酸溶液中加入氧化剂，继续氧化苯胺在聚苯胺纳米晶种上生长成有序聚苯胺纳米线阵列。