[发明专利]基于聚焦离子束系统的He离子刻蚀制备石墨烯纳米带方法有效
| 申请号： | 201410148721.7 | 申请日： | 2014-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN103935990A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王权;邵盈;李允;任乃飞;祝俊;王雯;张腾飞 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于聚焦离子束系统的He离子刻蚀制备石墨烯纳米带方法，使用氢腐蚀平整均匀的台阶状SiC基底，获得晶面粗糙度小于0.2nm的腐蚀后的台阶状的SiC基底，对腐蚀后的台阶状的SiC基底进行加热生长制备石墨烯，对生长的石墨烯用聚焦离子束系统的He离子刻蚀加工，利用SiC外延生长石墨烯的固有结构特性，并在生长过程中通入氩气，生成宽度较大的，相对均匀的石墨烯纳米带，再利用FIB系统中的He离子刻蚀技术的固有特性对大宽度的石墨烯纳米带进行精细加工，可在其任意区域实现线宽10nm以下的石墨烯纳米带的精确可控制备，灵敏度更高，对比度好。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 聚焦 离子束 系统 he 离子 刻蚀 制备 石墨 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种基于聚焦离子束系统的He离子刻蚀制备石墨烯纳米带方法，其特征是采用如下步骤：（1）对SiC基底抛光和清洗，得到平整均匀的台阶状SiC基底；（2）使用氢腐蚀平整均匀的台阶状SiC基底，获得晶面粗糙度小于0.2 nm的腐蚀后的台阶状的SiC基底；（3）对腐蚀后的台阶状的SiC基底进行加热生长制备石墨烯；（4）对生长的石墨烯用聚焦离子束系统的He离子刻蚀加工，刻蚀参数为：离子能级是20 kev，离子束电流是1 pA~10 pA，刻蚀时间是1μs~100 μs，抽真空至10‑6 Torr，获得线宽小于10 nm的石墨烯纳米带。
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