[发明专利]一种卤化氢修饰碳纳米材料及其制备和纯化方法有效

专利信息
申请号: 201410147866.5 申请日: 2014-04-14
公开(公告)号: CN103922312A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 于金刚;陈晓青;焦飞鹏;蒋新宇;赵秀辉;于林燕 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 长沙市融智专利事务所 43114 代理人: 袁靖
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种卤化氢修饰碳纳米材料及其制备和纯化方法。以多孔材料为载体、氢卤酸为卤素源,在相转移催化剂作用下反应制备卤素接枝的碳纳米复合材料,克服了现有技术中通过氧化-Hunsdiecker反应接枝碘及采用氯、溴单质直接修饰碳纳米材料接枝氯、溴等制备工艺的反应条件苛刻、反应剧烈而致使碳纳米材料基本结构被破坏等缺点。本工艺所采用的实验条件温和,制得的碳纳米复合材料接枝卤素量高。此外,卤素接枝量可通过改变反应时间实现调控。
搜索关键词: 一种 卤化 修饰 纳米 材料 及其 制备 纯化 方法
【主权项】:
一种卤化氢修饰碳纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)室温下,将碳纳米材料加入氢卤酸、多孔材料、相转移催化剂,惰性气体保护下超声分散;(2)然后在无氧及避光条件下,搅拌升温至60~100℃反应6~30天,反应期间补加相应氢卤酸溶液;(3)反应结束后,冷却反应物至室温,滤膜过滤,滤渣用去离子水洗涤至滤液为中性,收集残留在滤膜上的固体滤渣,得卤化氢修饰碳纳米材料的粗产物。
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