[发明专利]一种亚微米光子晶体位相阵列光分束器的制作方法

摘要

本发明公开了属于新型电子器件及光信息技术领域的一种亚微米光子晶体位相阵列光分束器的制作方法。该方法为：1）求解二维六角光子晶体位相阵列结构的菲涅耳衍射方程，确定最佳设计参数；2）设计二维亚微米周期结构的六角光子晶体微结构阵列掩膜板，在铌酸锂晶体上刻蚀出微结构阵列极化反转电极；3）对铌酸锂晶体进行电场极化，制备出亚微米结构的六角阵列分布的晶体；4）洗去铌酸锂晶体±z面上的铝电极，在±z面磁控溅射氧化铟锡薄膜平板电极，将铌酸锂晶体±z面与直流电源正负极相接，调节电压的大小来实现位相阵列光分束效应。本发明设计的光分束器具有分束均匀性好、光斑点阵数多、衍射效率高等优点，能够实现信息的并行传输与处理。

主权项

一种亚微米光子晶体位相阵列光分束器的制作方法，其特征在于，该制作方法的具体步骤为：1）根据已知入射光的波长、六角阵列参数和位相差，数值求解二维六角光子晶体位相阵列结构的菲涅耳衍射方程，确定最佳设计参数；2）根据步骤1）中的计算结果设计二维亚微米周期结构的六角光子晶体微结构阵列掩膜板，在铌酸锂晶体上利用镀膜与光刻技术刻蚀出所设计的微结构阵列极化反转电极；铌酸锂晶体+z面蒸镀六角阵列铝电极，而–z面镀平板铝电极；3）利用外加短脉冲背向反转电场技术对铌酸锂晶体进行室温下的电场极化，通过电极施加高压电场，使六角电极区的铁电畴反转而六角中空区不反转，制备出亚微米结构的六角阵列分布的晶体；4）用稀盐酸洗去铌酸锂晶体±z面上的铝电极，在铌酸锂晶体±z面磁控溅射氧化铟锡薄膜平板电极，将铌酸锂晶体±z面分别与可调直流高压电源正负极相接，通过调节所加可调直流高压电源电压的大小达到阵列光分束效应，实现位相阵列光分束效应。