[发明专利]制造石墨烯的方法及通过所述方法制造的石墨烯有效
| 申请号： | 201410129601.2 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104229776B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 崔珉硕;金泰亨;文振山;郑明姬 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 陈海涛,穆德骏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及制造石墨烯的方法及通过所述方法制造的石墨烯。更特别地，公开了一种用于生长具有高品质的石墨烯的制造石墨烯的方法，以及通过所述方法制造的石墨烯。所述方法包括准备热膨胀补偿基底；在所述热膨胀补偿基底上形成金属层以及在所述金属层上形成石墨烯。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 石墨 方法 通过 | ||
【主权项】：
一种制造石墨烯的方法，包括：准备热膨胀补偿基底；在所述热膨胀补偿基底上形成金属层；以及在所述金属层上形成石墨烯，其中所述热膨胀补偿基底包含热膨胀控制物质，以及其中所述热膨胀控制物质包含碳化硅(SiC)、石墨、石墨烯、碳纳米管、金刚石、M2B3O12、AX2O8和A2P2WO12中的至少一种，其中M表示Al、Sc、In、Y、Zr、Hf或镧系金属，B表示W、Mo或P，X表示W或Mo，且A表示Zr或Hf。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社，未经LG电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410129601.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种石墨烯有序多孔膜的制备方法
- 下一篇：一种泡沫碳材料的制备方法
