[发明专利]异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法

摘要

一种异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法，包括：去掉S0I基片上的部分顶层硅；在暴露的二氧化硅层上淀积二氧化硅波导芯层；在二氧化硅波导芯层材料上制作二氧化硅阵列波导光栅；在制作有二氧化硅阵列波导光栅上淀积二氧化硅波导上包层；去掉可调光衰减器阵列区域部分顶层硅上的材料，暴露出顶层硅；在可调光衰减器阵列区域部分的顶层硅上制作脊型波导，该脊型波导的一侧为第一平板波导区，另一侧为第二平板波导区；掺杂，形成P型掺杂区和N型掺杂区；在可调光衰减器阵列区域上的脊型波导上淀积绝缘材料层；淀积金属电极，完成制备。本发明可以实现基于同一S0I基平台的低损耗、低功耗、高响应速度的二氧化硅阵列波导光栅和S0I可调光衰减器阵列的异质集成芯片的制作。

主权项

一种异质集成光波导可调波分复用／解复用器的制作方法，包括以下步骤：1)选取一SOI基片；2)利用刻蚀技术，去掉SOI基片上的部分顶层硅，暴露出顶层硅下面的二氧化硅层，去掉的部分为阵列波导光栅区域，保留部分为可调光衰减器阵列区域；3)在暴露的二氧化硅层上淀积二氧化硅波导芯层；4)利用刻蚀技术，在二氧化硅波导芯层材料上制作二氧化硅阵列波导光栅；5)在制作有二氧化硅阵列波导光栅上淀积二氧化硅波导上包层；6)去掉可调光衰减器阵列区域部分顶层硅上的材料，暴露出顶层硅；7)利用刻蚀技术，在可调光衰减器阵列区域部分的顶层硅上制作脊型波导，该脊型波导的一侧为第一平板波导区，另一侧为第二平板波导区；8)在所述第一平板波导区的边缘进行P型掺杂，形成P型掺杂区，在第二平板波导区的边缘进行N型掺杂，形成N型掺杂区；9)在可调光衰减器阵列区域上的脊型波导上淀积绝缘材料层；10)利用刻蚀技术，在P型掺杂区和N型掺杂区上方的绝缘材料上制作接触孔；11)在接触孔内淀积金属电极，该电极露出接触孔外，完成制备。