[发明专利]基于人工磁导体结构的60GHz片上天线无效
| 申请号： | 201410116202.2 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104037489A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 项铁铭;马晓洋;王龙龙;陈伟 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q19/10;H01Q15/14 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于人工磁导体结构的60GHz片上天线。本发明包括由下到上的硅衬底层、SiO2层、SiN层，其特征在于：SiO2层包含六层金属层，从下到上依次为M1～M6层，三角形单极子天线位于SiO2层的M6金属层，周期加载的基于CMOS工艺的正六边形人工磁导体结构位于SiO2层的M1金属层，三角形单极子天线采用50Ω共面波导馈电。本发明能够满足60GHz时对垂直入射波反射相位为零，并且反射相位带隙完全覆盖60GHz附近的约7GHz（57～64GHz）免许可频段，同时可以有效的提高片上天线的增益和辐射效率等。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 人工 导体 结构 60 ghz 天线 | ||
【主权项】：
基于人工磁导体结构的60 GHz片上天线，包括由下到上的硅衬底层、SiO2层、SiN层，其特征在于：SiO2层包含六层金属层，从下到上依次为M1～M6层，三角形单极子天线位于SiO2层的M6金属层，周期加载的基于CMOS工艺的正六边形人工磁导体结构位于SiO2层的M1金属层，三角形单极子天线采用50Ω共面波导馈电。
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