[发明专利]一种监测低温离子注入的方法有效
| 申请号： | 201410106663.1 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103882401A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明;肖天金 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监测低温离子注入的方法，涉及半导体领域。该方法为：将一硅片从常温冷却至-45℃～-100℃的温度；对所述硅片进行离子注入；采用热波测量所述硅片表面，以获得热波值，根据所述热波值以获取所述硅片表面的损伤程度，从而监测低温离子注入。本发明采用低温离子注入工艺，避免了损伤自我修复的问题，通过测量热波值可以获取离子注入时的温度，在温度为-45℃～-60℃时离子注入效果最佳，可以实时监测低温离子注入的情况，提供了工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 低温 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种监测低温离子注入的方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1.将一硅片从常温冷却至‑45℃～‑100℃的温度；步骤2.对所述硅片进行离子注入；步骤3.采用热波测量所述硅片表面，以获得热波值，根据所述热波值以获取所述硅片表面的损伤程度，从而监测低温离子注入。
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