[发明专利]基于单排多层结构的电场式时栅直线位移传感器有效
申请号: | 201410102437.6 | 申请日: | 2014-03-19 |
公开(公告)号: | CN103822571B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 刘小康;黄沛;彭东林;郑方燕;彭凯 | 申请(专利权)人: | 重庆理工大学 |
主分类号: | G01B7/02 | 分类号: | G01B7/02 |
代理公司: | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人: | 康海燕 |
地址: | 400054 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于单排多层结构的电场式时栅直线位移传感器,包括测头基体和定尺基体两部分;测头基体上有一排等间距的双正弦形电极;定尺基体上有一排矩形电极,电极底部有定尺引线,电极与引线之间有绝缘层,形成一种多层结构;测头基体与定尺基体上下相对平行放置,并留有一定间隙δ;测头基体与定尺基体相对移动;定尺一个周期内的4个电极分别连接相位为0°,90°,180°,270°的等幅等频正弦激励电压,测头电极上产生的行波信号Uo与一路相位固定的同频参考信号Ur进行比相;两路信号的相位差由插补的时钟脉冲表示,再通过变换得到直线位移值。它功耗低,精度高,结构简单,对机械安装精度要求低,可实现大量程范围内的纳米精度测量。 | ||
搜索关键词: | 基于 单排 多层 结构 电场 式时栅 直线 位移 传感器 | ||
【主权项】:
一种基于单排多层结构的电场式时栅直线位移传感器,包括测头基体(1)和定尺基体(2)两部分,其特征是:所述测头基体上设置有一排测头电极(1‑1);所述定尺基体上设置有一排定尺电极(2‑1),定尺电极的第4n+1号电极连成一组,组成A激励相,定尺电极的第4n+2号电极连成一组,组成B激励相,定尺电极的第4n+3号电极连成一组,组成C激励相,定尺电极的第4n+4号电极连成一组,组成D激励相,其中,n=0,1,2,3,...;测头基体与定尺基体上下相对平行布置,测头基体的测头电极与定尺基体的定尺电极正对,并留有一定间隙δ,形成耦合电容;所述定尺基体上依次覆有4层介质膜,第一层为金属膜,喷涂成4条激励信号引线(2‑2),分别将A、B、C、D各个激励相的对应电极连成一组;第二层为绝缘膜;第三层为金属膜,喷涂成一排定尺电极(2‑1);第四层为绝缘保护膜;所述定尺电极(2‑1)形状为矩形且大小相同,相邻两电极之间保持一定的绝缘间距;所述的4条激励信号引线(2‑2)并排位于定尺电极(2‑1)下方中部;所述测头电极(1‑1)的形状为两个正弦上下对称形成的双正弦形,相邻测头电极(1‑1)之间通过矩形引线连接,测头电极长度略小于定尺电极长度,宽度为一个定尺电极宽度与一个所述绝缘间距之和,相邻两测头电极之间间隔三个测头电极宽度;测头基体与定尺基体相对移动;定尺基体的A、B、C、D四个激励相分别连接相位依次相差90°的等幅等频正弦激励电压Ua、Ub、Uc、Ud,在测头电极上产生一路行波信号Uo,该行波信号与一路相位固定的同频率参考信号Ur经整形电路整形后,由比相电路进行比相;两路信号的相位差由插补的高频时钟脉冲个数表示,再经过标度变换得到测头基体相对于定尺基体的直线位移值。
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