[发明专利]离子敏感场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备方法。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底，场氧化层，位于半导体衬底上通过掺杂形成的源极和漏极，源极和漏极之间被刻蚀到半导体衬底内部的凹槽结构，位于凹槽外围并与源极和漏极掺杂类型相同的凹形掺杂区域，该凹形掺杂区域中掺杂浓度峰值处的区域为埋层凹槽，该埋层凹槽与凹槽互不接触，上述场氧化层位于半导体衬底上除源极、漏极和凹槽之外的所有区域，凹槽表面有离子敏感膜。与现有技术相比，本发明中的晶体管能够在测量时免遭周围环境中电磁场的干扰，而且测量时电流密度更大，还能够避免凹槽的表面缺陷或表面固态电荷在测量时对电流灵敏度的影响。

主权项

一种离子敏感场效应晶体管，其特征在于，包含：半导体衬底，场氧化层，延伸到所述半导体衬底内部的凹槽，位于所述凹槽外围的凹形掺杂区域，以及位于所述半导体衬底上与所述凹形掺杂区域掺杂类型相同的源极和漏极；所述场氧化层位于所述半导体衬底上除所述源极、漏极和凹槽之外的所有区域；所述凹槽和所述凹形掺杂区域均位于所述源极和所述漏极之间；所述凹形掺杂区域中位于掺杂浓度峰值处的区域形成埋层凹槽；所述埋层凹槽与所述凹槽表面互不接触；所述凹槽的深度大于所述源极和漏极的结深；所述凹槽表面具有离子敏感膜。