[发明专利]具漏电流消除的OTPROM数组用于增强的电熔线感测在审
申请号: | 201410093618.7 | 申请日: | 2014-03-13 |
公开(公告)号: | CN104051014A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | J·保德塔;A·鲁德尼克 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | G11C16/24 | 分类号: | G11C16/24 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | 本文涉及具漏电流消除的OTPROM数组用于增强的电熔线感测,揭示数种记忆格数组以及用以操作记忆格数组的方法。在一个具体实施例中,记忆格数组包含多个位格、第一位线、第二位、第一字符线、及第二字符线。所述位格排列成行及列且各个包含第一晶体管、第二晶体管以及具有第一端及第二端的熔线。该第二晶体管可选择性地操作以使该熔线的第一端耦合至接地。该第一位线耦合至一列中的所述位格的每一个的该第一晶体管。该第二位线耦合至该列的所述位格的每一个的该熔线的第二端。该列中的所述位格的每一个的该第一晶体管可选择性地操作以使该熔线的第一端耦合至该第一位线。 | ||
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【主权项】:
一种记忆格数组,其包含: 多个位格,其排列成多个行及多个列,以及各包含第一晶体管、第二晶体管和具有第一端及第二端的熔线,其中,该第二晶体管可选择性地操作,以使该熔线的该第一端耦合至接地; 第一位线,其耦合至该多个列的其中一列的该多个位格的每一个的该第一晶体管;以及 第二位线,其耦合至该其中一列的该多个位格的每一个的该熔线的该第二端,以及 其中,该其中一列的该多个位格的每一个的该第一晶体管可选择性地操作,以使该熔线的该第一端耦合至该第一位线。
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