[发明专利]一种锂硫电池纳米管阵列正极材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410078317.7 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103840145A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 朱文;王慧勇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;H01M4/62;C25D11/26;C25D9/02;C25D5/54;C25D9/08 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种锂硫电池纳米管阵列正极材料的制备方法，属于锂硫电池正极材料的制备方法，解决现有锂硫蓄电池正极材料存在的导电性差、比容量低的问题。本发明包括（1）制备二氧化钛纳米管阵列步骤、（2）沉积导电增强材料步骤和（3）沉积单质硫步骤；可重复所述步骤（2）和步骤（3），形成多次沉积循环周期，得到具有多层同轴异质结构的正极材料，具有不同的硫负载量。本发明以二氧化钛纳米管阵列作为衬底材料，将导电增强材料和单质硫复合沉积进入二氧化钛纳米管，形成具有同轴异质结构的正极材料，改善正极材料的导电性，提高正极材料的硫负载量，进而提高锂硫电池的循环性能和比容量，对于加速硫化锂电池进一步规模化应用进程有一定的推进作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电池 纳米 阵列 正极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锂硫电池纳米管阵列正极材料的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)制备二氧化钛纳米管阵列步骤：采取两步阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列，作为衬底；(2)沉积导电增强材料步骤：在作为衬底的二氧化钛纳米管阵列的各二氧化钛纳米管内，电化学沉积导电聚合物或导电金属材料，作为导电增强材料，得到沉积导电增强材料的衬底；(3)沉积单质硫步骤：在沉积导电增强材料的衬底上，所述二氧化钛纳米管阵列的各二氧化钛纳米管内，所沉积的导电增强材料表面，电化学沉积单质硫，作为正极活性物质，得到具有同轴异质结构的正极材料。
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