[发明专利]一种集成电路高压引脚连通性测试方法有效
| 申请号： | 201410076964.4 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103969544B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 刘成军 | 申请（专利权）人： | 深圳博用科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02 |
| 代理公司： | 广州恒华智信知识产权代理事务所(普通合伙)44299 | 代理人： | 姜宗华 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路高压引脚连通性测试方法，包括以下步骤除连接在集成芯片内部的MOS管衬底body的待测引脚端口PIN外，其它引脚端口PIN都接地；在待测端口PIN加负电流，测试其对地电压V。本发明的方法能够完成对芯片高压引脚的连通性测试，使集成电路的中测技术更加完备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 高压 引脚 连通性 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路高压引脚连通性测试方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，除连接在集成芯片内部的MOS管衬底body的待测引脚端口PIN外，其它引脚端口PIN都接地；S2，在待测端口PIN加负电流，测试其对地电压V；所述步骤S2具体为：在待测引脚PIN上加几百微安的负电流，这个电流流过连接在集成芯片内部的MOS管漏极drain和MOS管衬底body之间的寄生二极管，在衬底body和漏极drain之间形成电压，如果电压范围在‑1.0V至‑0.2V之间则测试通过，表明 连通性正常，如果超出此范围或者测不到电压，则测试失败，表明连通性异常。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳博用科技有限公司，未经深圳博用科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410076964.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于混合两种不同类型溶液的容器
- 下一篇：一种可旋转式橡木桶支架
