[发明专利]一种磁性位单元双电压写入方法有效
| 申请号： | 201410072170.0 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103794243A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 郭玮;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磁性位单元双电压写入方法，它有四大步骤：一、对待写入位单元所在列进行寻址，以确定待写入位单元所在列在存储阵列中的位置；二、根据写“0”或写“1”的要求，将写入电路同所对应的写入电压相关联，为给写“0”或写“1”操作提供所需电压及电流做准备；三、对待写入位单元所在行进行寻址，以确定待写入位单元所在行在存储阵列中的位置；步骤三同步骤一共同作用，以确定待写入位单元在存储阵列中的具体位置；四、通过步骤一至步骤三，形成自被关联的写入电压经位单元至地线Gnd的电流通路；根据写“0”或写“1”的要求，电流分别自位单元的位线流向源线，或自位单元的源线流向位线，完成写“0”或“1”操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 单元 电压 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性位单元双电压写入方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：步骤一：对待写入位单元所在列进行寻址，以确定待写入位单元所在列在存储阵列中的位置；步骤二：根据写“0”或写“1”的要求，将写入电路同所对应的写入电压相关联，为给写“0”或写“1”操作提供所需电压及电流做准备；步骤三：对待写入位单元所在行进行寻址，以确定待写入位单元所在行在存储阵列中的位置；步骤三同步骤一共同作用，以确定待写入位单元在存储阵列中的具体位置；步骤四：通过步骤一至步骤三，形成自被关联的写入电压经位单元至地线Gnd的电流通路；根据写“0”或写“1”的要求，电流分别自位单元的位线流向源线，或自位单元的源线流向位线，完成写“0”或“1”操作。
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