[发明专利]浸润刻蚀微透镜成形方法无效
| 申请号： | 201410067874.9 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103809226A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张宜文 | 申请（专利权）人： | 四川云盾光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 林辉轮;王芸 |
| 地址： | 610207 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 浸润刻蚀微透镜成形方法，在基底材料表面蒸镀牺牲层，再在牺牲层表面涂敷光刻胶，然后确定微透镜在基片表面的位置，如果微透镜非紧密排布则采用光刻方法去除微透镜口径范围以外的光刻胶，如果微透镜紧密排布，则取微透镜最底部横向若干微米的范围作为开孔，并去除该开孔范围内的光刻胶；采用辅刻蚀液去除光刻胶去除后暴露出的牺牲层，将主刻蚀液和辅刻蚀液按比例混合，再将牺牲层和光刻胶部分去除后的结构放置在混合液中腐蚀，当牺牲层材料被辅刻蚀液侧向腐蚀完后，取出元件清洗，烘干即得到需要的元件。本发明既避免了干法刻蚀对元件的污染，又降低了成本，可用于各种金属及半导体材料材质的各种浮雕深度的高抗损伤连续表面微透镜阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 浸润 刻蚀 透镜 成形 方法 | ||
【主权项】：
浸润刻蚀微透镜成形方法主要通过以下步骤完成：（1）在基底材料表面蒸镀一层牺牲层材料； （2）在所述的牺牲层表面涂敷一层光刻胶；（3）确定微透镜在基片表面的位置，采用光刻方法去除微透镜口径范围以外的光刻胶，（4）采用辅刻蚀液去除光刻胶去除后暴露出的牺牲层材料；（5）将主刻蚀液和辅刻蚀液按照比例混合，混合比例为1：10—10：1，通过调节混合比例实现对浮雕深度的调节，主刻蚀液用于基底材料的刻蚀，辅刻蚀液用于牺牲层材料的刻蚀；（6）将牺牲层和光刻胶部分去除后的结构放置在混合液中腐蚀，当牺牲层材料被辅刻蚀液侧向腐蚀完后，取出元件清洗，烘干即得到需要的元件。
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